電子・正孔対が作る原子層半導体の作製に成功-グラフェンを超える電子デバイス応用へ道-

概要
東北大学原子分子材料科学高等研究機構（AIMR）の菅原克明助教、一杉太郎教授、高橋隆教授、同理学研究科の佐藤宇史准教授らの研究グループは、グラフェンを超える電子デバイスへの応用が期待されているチタン・セレン（TiSe2）原子層超薄膜の作製に成功しました。さらに、1層のTiSe2超薄膜の電子状態を詳細に調べた結果、その特異な金属状態を生み出している原因は、薄膜中の電子と正孔(電子の抜けた孔) が結合して対（ペア）を作っているためであることを見出しました。今回の成果は、グラフェンを超える原子層超薄膜物質の物質設計と開拓に大きく貢献するものです。

本成果は、平成27年12月1日（米国東部時間）に米科学誌「ACS Nano」オンライン速報版に掲載されました。

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プレスリリース (東北大学Webサイト)